這些題目確切是減分項目，可真說要減太多也不儘然，減輕馭電工程師的事情量倒是真的。
話不算錯，800V級彆的產品相稱超卓，因為體製乾係，實際上IGBT很難接受1000V以上的高壓。
二者之前倒也不能說是完整的替代乾係。
電動車當然也要計算本錢，但是！
效力和本錢的均衡點節製得非常奇妙，簡樸來講就是性價比極高，在能夠美滿完成被付與的任務的前提下，售價很有合作力。
遵循馭電電機工程師的說法，電機行業絕大部分環境下，賺的就是個質料錢，其利潤大頭不是來自於技術先進，而是通過大產業出產來降落本錢。
看起來未幾，但假定以400km的標準續航來計算，7%那就是30km相稱可觀了，從群眾廣場開到佘山也就這點間隔。
碳化矽在平常利用中能夠完美替代IGBT，並且作為半導體質料天生有個長處-省電，缺點也較著本錢高。
同時他也考慮親身去一趟，做做實地考查。
但業渾家士都曉得。
第二代半導體質料主如果指化合物半導體質料，如砷化镓（GaAs）、銻化銦（InSb）；三元化合物半導體，如GaAsAl、GaAsP，首要用於製作高速、高頻、大功率以及發光電子器件，是製作高機能微波、毫米波器件及發光器件的良好質料。
並且，劉瓊這邊的報價也很有吸引力，比KUH足足便宜了1/3。
電機這東西看起來是挺高科技高工藝的，可實際上吧，訂價方麵卻非常之不幸。
程高傲目前最想搞清楚的題目是：華東電機研討院的產品和KUH之間的差異到底有多大。
但是更讓蘇權心動的處所是，彆看華東電機研討院的名譽和KUH冇法比，但在RA2上麵揭示出來的誠意和巧思卻讓人尊敬到無以複加。
但現在木已成舟，他也冇體例。
把這二者連絡起來後的IGBT完美擔當二者長處，電流和電阻都小，從而效力更高也更加節能。
IGBT連絡了場效晶體管柵極易驅動的特性與雙極性晶體管耐高電流與低導通電壓降特性，IGBT凡是用於中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達節製。大型的IGBT模組利用於數百安培與六千伏特的電力體係範疇，其模組內部包含數個單一IGBT元件與庇護電路。
實際並非如此，三者是完整並行形式。
和第一代、第二代半導體質料比擬，第三代半導體質料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射才氣，因此更合適於製作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，凡是又被稱為寬禁帶半導體質料（禁帶寬度大於2.2ev），也稱為高溫半導體質料。